| LSI Logic采用莱智科技EDA工具验证嵌入式内存 |
|
| 新闻出处：
发布时间： 2007-11-16 |
|
莱智科技股份有限公司日前宣布，LSI Logic已经采用莱智科技的CharFlo- Memory!与MSIM电路仿真器，进行下一代SRAM、Register File与ROM编译器的内存对象模型特性化。基于布局电路萃取与电容、电阻信息，莱智科技的CharFlo- Memory!工具组可以在不同PVT(工艺，电压，温度)状况下进行嵌入式内存的质量验证。
LSI Logic公司定制解决方案部资深工程总监Shiva Ramesh表示：“我们顾客的系统级芯片设计要求嵌入式内存高质量的时程与功率模型，以达到最佳表现及正确、实时的硅制成功。莱智科技的CharFlo- Memory!帮助我们可以极为可靠地进行缓存编译器与自行开发定制内存特性化过程的验证。我们使用莱智科技优化的技术帮助正确标定最适设定与持续时间，免除短时钏冲波干扰，与排除不定稳态，保持信号完整性。”
莱智科技与LSI共同合作，将CharFlo- Memory!工具组成功地用在LSI的设计环境中。使用莱智科技的CharFlo- Memory!工具组，任何内存编译器萃取的对象模型都可以实时特性化以确保超优质量与可靠度。当在不同PVT状况下进行各种假设条件分析，莱智科技的CharFlo- Memory!工具组可自动执行特性化并产生正确的结果。结合莱智科技配套工具组，LSI可轻易验证改变工艺对内存IP功能与可靠度的影响。
莱智科技总裁兼首席执行官魏游邦先生表示：“嵌入式内存的正确时程与功率量测，无论对于深次微米硅制产的成功或纳米系统芯片设计，都是至为攸关的影响。采用莱智科技CharFlo- Memory!工具组，LSI 在内存IP特征确认与模型化领域，已获得领先解决方案。我们很高兴经由与LSI密切合作的机会，提供其所需精确、效率，具成本竞争优势的内存特性分析服务。”” |
| 【关闭】 【打印】 |
|
|
|
 |
相关专题 |
|
|
|
